VeriSiliconSMIC0.13um高密度标准单元库应用说明1.推荐工作条件typ最大最小核心直流电源电压(伏特)1.2v1.32v1.08vIO直流电源电压(伏特)2.5v2.75v2.25v结温(摄氏)251252.降额因子给出了硅芯片0.13um高密度标准细胞库的降阶因子在文件SMIC13-SC.pdf中，只用于预布局估计。3.Synopsys对此模型一个。我们的synopsys库中给出的线路加载模型仅供参考。所以请创建适合您的设计的自定义线负载模型。