红外扫描显微镜法研究直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷的关系，曾俞衡，马向阳，通过红外扫描显微镜法（SIRM）和择优腐蚀加光学显微镜法，我们研究经过不同等温退火处理的直拉硅单晶中氧沉淀尺寸与氧沉淀产生诱�