SiC热氧化SiO2的红外光谱研究,田晓丽,龚敏,SiC热氧化时由于C元素的存在及其诱生的空位型缺陷,影响SiO_2层的质量、SiO_2/SiC界面及SiCMOS器件的击穿特性。本文采用红外光谱技术研�