沉积电量对CdTe/TiO2纳米管阵列同轴异质结的形成和光电性能影响研究

碳纳米管海绵的压缩性能：实验和建模，孙鹏展，朱科，碳纳米管海绵体是由相互交错的碳纳米管组成的三维结构，在复合材料以及环境保护方面具有潜在应用。具有厘米量级尺寸的碳纳米管海

采用脉冲激光沉积方法在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,分别在500 °C、600 °C和700 °C下真空退火,采用X射线衍射仪研究了退火对ZnO薄膜晶体结构的影响,并测量了ZnO的面电阻和

TiO2/p+-Si异质结的电致发光，章圆圆，马向阳，利用磁控溅射法在重掺硼硅片（p+-Si）衬底上沉积Ti薄膜，然后通过热氧化制备了TiO2薄膜，从而形成TiO2/p+-Si异质结。研究发现，该异质

碳纳米管和纳米电子学

采用溶胶—凝胶法制备了La/Fe共掺杂的Ti O2。通过X射线衍射、紫外—可见光漫反射测试等手段对Ti O2进行了结构和光吸收性能分析,并研究了催化剂对亚甲基蓝的降解效果。结果表明,La/Fe共掺杂阻

设计并制备了结构为掺锡氧化铟(ITO)/氧化锌(ZnO)/纳米多孔硅柱状阵列(NSPA)/Si/Al 的纳米异质结发光二极管(LED),实现了近白光电致发光(EL)。利用蒸气刻蚀技术,在P-Si表面制

DNA模板诱导纳米TiO2薄膜生长，郑琳，蒋玉婷，通过表面羟基化的单晶硅基底组装APTMS单层膜，戊二醛偶联剂与APTMS单层膜表面的氨基以及DNA末端修饰的氨基交联，固定G-四链体以及双链

碳纳米管的硼掺杂对CNTs/Mg复合材料力学性能的影响，李静，师春生，本文采用将氧化硼（B2O3）与多壁碳纳米管（CNT）混合后再高温煅烧的方法制备了硼掺杂碳纳米管（B-CNTs）。采用粉末冶金结合热

表面极性对ZnMgO/ZnO异质结中二维电子气形成的影响，李远洁，马博君，利用射频磁控溅射法在c面（0001）蓝宝石单晶衬底上生长了ZnMgO/ZnO异质结结构，通过对生长过程中射频功率及氧气流量的调

图1(a)是一个典型的异质结PIN[13],P型和N型区域均为InP,本征层In1 ,Ga,As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配,并且窄的禁带宽度能使光谱响应达