多步旋涂法制备高性能铁电P(VDF-TrFE)薄膜,朱国栋,,近年来基于铁电聚合物的非易失性存储器的研制引起越来越多的关注。在存储器应用中要求铁电膜厚小于100nm,以降低功耗和操作电压。�