基于振荡器的静电反馈的高频振荡器设计.pdf
基于振荡器的静电反馈的高频振荡器设计pdf,硅基MEMS振荡器的频率温度系数高达-30ppm/℃,是石英晶体振荡器的100倍以上,因此必须进行频率温度补偿。静电反馈是一种低功耗补偿技术,但是静电力小,对于频率较高的振荡器效果不理想。设计了一种具有高Q值的I2BAR结构的高频振荡器,通过优化振荡结构、制作纳米尺度间隙、采用高掺杂衬底来提高静电反馈的作用。建立了器件的机电耦合解析模型,并根据器件的物理结构和尺寸建立了包含寄生效应的等效电学模型,进行PSpice仿真。实验测得振荡器在30Pa气压下具有48000的Q值,当电压从IV增加到25V,频