东南大学硕士学位论文 本文设计了一种同体式电容压力传感器，传感器由多晶硅／_．--氧化硅瓜阱硅等三层膜组成，该传感器电容结构与CMOS工艺中的MoS电容相同，因而完全与CMOS—r艺兼容。该传感器还避免了密封腔内电极引出的问题，简化了：L艺步骤，提高了传感器的可靠性。使HJ有限元方法对传感器复合膜的机械特性以及灵敏度进行了分析。设计并制造了10009m、1200pm、14009m、15009m等四种不同边长多层膜压力传感器，在460hPa到1060hPa的动态范闱，相应灵敏度分别为1．8fF/hPa、2．3fF／hPa、3．6fF／hPa、4．6fF／hPa。对于边长为10009m传感器，其