以射频器件面为layer1层射频基带 layer1：器件器件 layer2：signal大部分地址和数据signal、部分模拟线（对应3层是地） layer3：GND部分走线（包括键盘面以及2层走不下的线）、GND Layer4：带状线需穿过射频的基带模拟控制线(txramp_rf、afc_rf)、音频线、 基带主芯片之间的模拟接口线、主时钟线 Layer5：GNDGND（ Layer6：电源层VBAT、LDO_2V8_RF（150mA）、VMEM（150mA）、VEXT（150mA）、VCORE(80ｍA)、VABB(50ｍA)、VSIM(20ｍA)、VVC