MMBT5551LT1G.PDF

产品型号:MMUN2114LT1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上标识:A6

产品型号:MMBFU310LT1G零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):24000零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):60000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):2

产品型号:MBRM110LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):10平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.365@1.0A非重复峰值浪涌电流I

产品型号:MBRM130LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.45@1.0A非重复峰值浪涌电流IF

产品型号:MMBV2105LT1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)( pF):16.500最大二极管电容CT@VV:4正向电压VF最大值(V):-最大反向漏电流IR (Ma

产品型号:NUP2105LT1G最大雪崩电压VBR(V):32反向工作电压VRWM(V):24反向漏电流IR(nA):8箝位电压VC(V):44封装/温度(°C):SOT-23/-55~150描述:2

产品型号:NUP1105LT1G最大雪崩电压VBR(V):28.400反向工作电压VRWM(V):24反向漏电流IR(nA):8箝位电压VC(V):44封装/温度(°C):SOT-23/-55~150

产品型号:MMBD6050LT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):0.850正向恢复电压VF最大值(V):1.100最大二极管电容CT(

产品型号:BAS40LT1G最小反向电压VR(V):40最大二极管电容CT@V(Max)( pF):5最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.500最大反向漏电流IR (Max)(

产品型号:BCX18LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):25集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值