在相干相互作用下，粒子与晶格发生相关的碰撞，并且它们的运动导致局限在原子平面的场中，即粒子通道化。除了与晶格相干相互作用之外，粒子还与单个原子核发生不相干相互作用，并且可能离开其有限运动，即它们脱通道。后者是相干相互作用在晶体辅助粒子控制中应用的主要限制因素。我们在欧洲核子研究组织（CERN）的H4-SPS外部线路上实验研究了弯曲的硅晶体中120GeV/ce-和e+的去沟道现象。我们发现，尽管e-（2±2％）和e+（54±2％）的通道效率显着不同，但它们的核去通道长度却相当，e-和（0.7±0.3）mm（0.6±0.1）mmmm对于e+。正电子和电子的核去沟道长度相