氢间隙杂质对CdTe材料电子结构的影响:第一性原理研究,曲晓东,孙立忠,我们用基于平面波赝势的第一性原理方法,通过计算电子结构、电子局域函数和差分电荷,分析了不同形式的H间隙杂质对Ⅱ-Ⅵ族半导体�