单根GaAs纳米线的模式特性研究

设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+ InGaP插入层结构,已解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效

于伟东, 李效民, 高相东, 边继明, 陈同来(高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050) 摘 要:采用气相传输法,以金膜为催化剂,氧化锌和石墨混合粉末为锌源

磁性氧化铁纳米线的制备与表征，吴卫林，毕红，通过溶胶-凝胶法在氧化铝模板(AAO)中制备出了磁性Fe2O3纳米线阵列,然后去除AAO模板得到磁性Fe2O3纳米线。用SEM,TEM,FTIR,EDX,V

氧化锌纳米线的生长、掺杂和应用，徐腾飞，李建业，氧化锌是一种重要的II-VI族半导体，ZnO纳米线在应用中有巨大的潜力。本文中，我们总结了近年来ZnO生长，掺杂和ZnO纳米线的应用的研究�

石墨烯包覆的ZnO纳米线光波导

液体等离子传感的金纳米线波导建模

ZnO / CdS纳米复合材料的化学成像,电子结构和光学性质已通过扫描透射X射线显微镜(STXM),X射线吸收近边缘结构(XANES)和X射线激发光致发光(XEOL)进行了研究光谱学。 STXM和XA

应变工程调制屈曲CdS纳米线的光波导

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