增强型GaNMOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究,周桂林,张金城,采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaNMOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaNMOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压�