论文研究不同源漏间距的AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究 .pdf

双极型晶体管和场效应管基础知识

双异质结单载流子传输光敏晶体管输出电流

A面和C面AlGaN/GaN异质结的比较研究

基于IBM90纳米工艺的晶体管模型研究，陈燊林，，随着高频无线通讯市场快速发展，高性能低成本的射频设计方案的需求也在增长，MOSFET的模型对CMOSRFIC设计极为重要。由于寄生参数偏置

半导体ZnO薄膜晶体管，姚绮君，李德杰，本文介绍了一种以射频溅射ZnO材料为有源层的薄膜晶体管。在器件有源层制作中通过气氛控制、添加栅网屏蔽等方法改善器件性能。最终

主要讲解结型场效应管的管脚识别、判定栅极、估测场效应管的放大能力等内容。

测量场效应管栅极和漏极 在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。栅源电压是管子的驱动电压，一般15V-20V。过压会造成击穿 场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。 场效

场效应管恒流源特性的分析与研究pdf,场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：(1)场效应管是电压

一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区,InP集电区 DHBT IC 工艺被成功研发。这种GaAsSb工艺使得在工作电流为JC = 1.5 mA/μm2时fT 和 fmax分别达到了 18

报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAs HBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击