MBE生长的I型GaAsSb/AlGaAs多量子阱结构及其局域态现象研究,葛啸天,王登魁,本文通过分子束外延技术生长了GaAs0.92Sb0.08/Al0.2Ga0.8As多量子阱结构,并对该样品进行了变温和变激发光致发光(PL)光谱测试。从测试结果�