从头算方法研究C和O掺杂的p型AlN晶体的铁磁性

为提高激光上下能级的粒子反转速度,采用具有高声子能量的YAG晶体作为掺杂基质,通过多声子弛豫的方式加速 6H13/2能级的粒子数消耗;同时引入与激光下能级能量相近的Tb 3+离子,实现Dy 3+∶ 6

实验研究了聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)掺杂生色团分散红DR19的电光聚合物的电晕极化特性。结合吸收光谱法和显微镜形貌分析了极化电压、极化温度以及极化时间对极化效果的影响。理论和实验分析得出极化电压增大

T-ZnOw/CoFe2O4的制备及其电磁性能研究，赵玲玲，赵乃勤，以石墨还原控制法制备了氧化锌晶须（ZnOw），并采用化学共沉淀法，对ZnOw表面修饰，合成了ZnOw/CoFe2O4复合物。通过SE

钴-碳络合物在化学改性的钙钛矿稀磁性复合氧化物中诱导铁磁性。

不同退火方式处理的SmCo基薄膜的晶体结构,微观结构和磁性

钴、碳共掺杂铌酸锂的局域结构与磁性，盛蓬，曾飞，本文采用高能离子多能量注入的方法制备了Co浓度为3.5%，C浓度分别为2%，3%，4%的Co、C共掺杂的铌酸锂薄膜，研究了掺杂浓度和退火工艺�

氧空位对Cr掺杂SnO2超晶格中电子和磁性的影响

研究了Co:KNSBN晶体和重还原Co:KNSBN晶体中光致吸收的变化特性。Co:KNSBN晶体的吸收系数随泵浦光强的增加而减小,吸收系数变化的最大值为3.2 cm-1,重还原Co:KNSBN晶体的吸

用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配。薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(1

VB和C#的高斯正反算