超薄InGaAs应变层上多层InAs/InGaAs量子点的结构和光学性质研究

超薄InGaAs应变层上多层InAs/InGaAs量子点的结构和光学性质研究，张春玲，姚江宏，本工作在GaAs基50nmInGaAs应变层上生长了六层InAs量子点（QD）层，通过分析各层之间的应力状况，配合生长过程中的反射式高能电子衍射�