超薄InGaAs应变层上多层InAs/InGaAs量子点的结构和光学性质研究,张春玲,姚江宏,本工作在GaAs基50nmInGaAs应变层上生长了六层InAs量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况,配合生长过程中的反射式高能电子衍射�