ESD设计介绍，静电放电（ESD，ElectrostaticDischarge）给电子器件环境会带来破坏性的后果。 它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，互补金属氧化物半 导体（CMOS，ComplementaryMetal-OxideSemiconductor）的特征尺寸不断缩小金属氧化物半导体(MOS,Metal-OxideSemiconductor)的栅氧厚度越来越薄，MOS管 能承受的电流和电压也越来越小，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，需要从全芯片 ESD保护结构的设计来进行考虑。