超大规模集成电路系统和电路的设计原理

大规模集成电路的PDN与PUN的讲解，详细讲述了P沟道与N沟道MOS管的传输特性。

摘 要: 空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件,所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析与物理应力实验

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数字大规模集成电路课件第七章互联问题

大规模集成电路中的可制造性设计研究，郑舒静，，本论文的目的在于寻求深亚微米制造工艺对集成电路设计和产品良率的影响，并由此提出一些旨在设计阶段就可以考虑的可制造性要点，

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清华大学大规模集成电路研究生教程 第二部分 大家好好看

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