由此系统知MOSFET管漏源两端的最大电压为60V，直流母线上的最大电流为3A。故我们选用N沟道功率MOSFET管IRF540，它具有开关速度快、导通电阻小、栅极电容小和无二次击穿等显著特点。其耐压100V，漏极最大电流28A，导通电阻为0.077Ω，栅极电容为1700PF，充分满足题目要求。另外选用IR2110作为半桥驱动芯片，它具有自举浮动电源，最大驱动电流2A，驱动电压10-20V,能驱动的最大直流母线电压为500V,最大工作频率500KHz，具有电源欠压保护关断逻辑和低压延时封锁功能。VD1、VD2采用肖特基二极管，加快充放电速度，并采用RC缓冲吸收回路对MOSFET管进行保护.