激光器调Q技术是产生高峰值功率、窄脉冲的最有效方法之一。提出并初步验证了全光纤对接损耗调Q方法,分析了调Q原理以及影响因素,实现调Q脉冲的输出。激光腔内加入两段光纤,两段光纤间相互靠近的一端紧密对接,
设计了一种基于半导体激光器调制技术的978 nm纳秒脉冲掺镱全光纤激光器。该激光器采用主振荡功率放大结构,由调制半导体激光种子源和一级单模单包层掺镱光纤放大器组成。半导体激光种子源的光谱中心波长通过种
报道了一个相位锁定的光纤激光器阵列获得60W的输出,同相模式输出时的斜率效率为37%。对于两种不同的纤芯距离都观测到稳定的高对比度干涉条纹。整个系统在高功率操作时,所用的空间滤波器没有观察到明显的热问
以激光二极管(LD)环形阵列侧面抽运Nd:YLF棒高增益放大器模块为基础,在经典的平凹驻波腔中加入一片Cr4+:YAG晶体作为被动Q开关,利用被动Q开关本身所具有的振荡选模功能以及两端不镀膜的Nd:Y
报道了一种全光纤结构耗散孤子被动锁模光纤激光器。激光器中使用了一种基于多模干涉原理的光纤滤波器,它由两段单模光纤和一段多模光纤组成。通过合理的选取多模光纤的长度,制作了中心波长在1067 nm处、3
基于腔内双折射模式辨别的径向偏振和被动调Q掺Yb光纤激光器
报道了高功率半导体可饱和吸收镜被动锁模的2.0 μm掺铥飞秒脉冲光纤激光器的实验结果。该光纤激光器利用半导体可饱和吸收镜与宽带全反射镜来构成线型法布里珀罗腔,自制的1550 nm连续掺铒光纤激光器作为
通过考虑GaAs的单光子吸收(SPA)和双光子吸收(TPA)过程,腔内光子密度和初始种群反转密度的高斯空间分布,以及在激发过程中的泵浦和自发发射脉冲形成,解决了GaAs饱和吸收器调Q激光器的新归一化速
构建了基于掺镱双包层光纤的超荧光种子源和放大器,实现了稳定运转的全光纤结构宽带超荧光光源,种子源经一级单程放大,获得百瓦级功率超荧光输出。该超荧光光源在高功率状态下无自脉冲、弛豫振荡、纵模起振。超荧光
报道了一种新型纳秒脉冲532 nm 绿光激光器,其基频光为耗散孤子共振(DSR)方波纳秒脉冲、由掺镱光纤激光器得到,该激光器采用了全光纤主振荡功率放大(MOPA)结构设计。利用非线性偏振旋转(NPR)
