在薄的晶体中快速充电的粒子的散射过程被认为是在厚度的过渡范围内，在该范围内不出现沟道现象，而在该范围内可以实现。我们证明了应用几何光学方法描述散射过程的可能性。特别是，我们研究了在这个晶体厚度范围内，超相对论性正电子的总散射截面对靶厚度的依赖性。在超相对论性粒子的通道化情况下，我们指出了在某些晶体厚度值下存在类似于转换为总散射截面为零的Ramsauer-Townsend效应的效应的可能性。注意到莫尔斯·马斯洛夫（Morse-Maslov）指数的重要作用，它是几何光学方法中波动函数表达式的一部分。