施耐德-I-LINEB系列高电流母线槽pdf,施耐德-I-LINEB系列高电流母线槽，介绍如下：  1、分子渗透技术专题 母线性能最薄弱的环节在于电气连接位置（如接头连接部位，插 接口部位等），在这些区域： 1).温升高 2).能耗集中 3).故障多发 因此，提高电气连接性能成为母线设计的关键。 I-LINE®B系列高电流母线采用施耐德电气独有的分子渗透技术，使 铝、铜、银之间的过渡区域形成合金结构，完全消除了不同金属 之间的电位差，成功突破了母线电气连接瓶颈，将电气传输性能 提升到新的高度。 60年积铢累寸的不断进取，施耐德电气 向亚太市场倾力推出I-LINE®B系列高电流 母线