镍酞菁薄膜在（硅片，玻璃）基板上以不同的基板温度（300-450）K热蒸发。通过FTIR光谱研究了NiPc粉末的化学键，为NiPc键及其位置提供了很好的信息。光学性质已通过紫外可见和光致发光（PL）光谱进行了研究。NiPc薄膜对所有样品都有直接的间隙。PL谱计算的能隙值低于Tauc方程计算的能隙值。发现存在三种活化能，已经测量了载流子的迁移率和浓度，并且NiPc膜是p型的。P-NiPc/n-SiHJ太阳能电池是在衬底温度（300，400）K下制造的。根据IV和CV特性，发现了突变结，在（0.335-0.415）V的Voc下观察到了光伏特性，并且Isc为（2.77-4.26）μ