通过合成和真空蒸发，在不同基板上制备了有机，掺杂的双金属酞菁M2Pcs（M=Li，Na）半导体膜。使用四硫富瓦烯（TTF）和四氰基喹二甲烷（TCNQ）作为掺杂剂，并使用IR光谱，X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线光谱法研究了半导体膜的结构和形态（EDS）。在沉积膜的紫外可见区域记录的吸收光谱显示出与M2Pc分子中电子π-π*跃迁有关的Q和Soret带。薄膜的光学特性表明带隙在1.2到2.4eV之间的非晶薄膜的电子跃迁特性。最后，生产了玻璃/ITO/掺杂的M2Pc/Ag薄膜器件，并通过四尖端共线方法评估了它们的电性能。无论使用哪种有机掺杂剂，