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然后通过设计以IR2110为主芯片的驱动电路对P-MOSFET进行驱动，电路需要使用两个输出电压恒定为15V的电源来驱动两个芯片工作。
在这部分展示一个实例,适配器采用FSDM311,工作规范AC85~265V的输入电压范围。10W 输出功率、5V输出电压、67kHz的开关频率。此时,RCD吸收回路选择1 nF吸收电容,480kΩ吸收
然而,嵌入式非易失性闪存IP的未来扩展在更的节点上是无效的。一些替代的存储器技术已经被作为“闪存的替代品”来追求,例如相变存储器(PCM)材料,电阻变化存储器(RRAM),自旋转移转矩磁阻存储器(ST
正激和推挽变换器拓扑，电源类开发必看资料，可以帮助设计电源
概述 单端变换器的磁复位技术 使用单端隔离变压器之后,变压器磁芯如何在每个脉动工作磁通之后都能恢复到磁通起始值,这是产生的新问题,称为去磁复位问题。因为线圈通过的是单向脉动激磁电流,如果没有每
用于排序的 随机数序列,数值大小为1-1408576,从上到下排列
反激变换器中RCD钳位电路的计算pdf,
采用同步整流技术的准谐振反激变换器pdf,反激变换器应用广泛，为提高其效率，将准谐振技术和电流型自驱动同步整流技术应用于反激变换器。详细分析了准谐振变换器的工作原理和电流型自驱动同步整流的工作原理，并
同步整流技术常常用于Buck族有隔离的DC/DC PWM转换器主电路中,如正激式、推挽式和桥式DC/DC PWM转换器,以获得低压输出。图1所示是一种最简单的电压自驱动SR-正激式转换器电路,图中V1
研究了一种适用于电动汽车的高效率双管正激直流变换器,在提出一种设计方案的基础上,重点对其控制电路,反馈回路、启动电路和变压器的关键参数等进行了详细分析设计。其中控制电路使用SG3525芯片,采用二型补
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