作为一种间接的带隙材料，锗（Ge）在大约1550 nm的波长区域内的辐射复合效率低。 但是，直接带隙和间接带隙之间的差异很小（〜140 meV），并且通过重的n掺杂工艺可以大大提高Ge的光致发光能力。 在这项工作中，利用GaP分解源，通过分子束外延（MBE）技术直接在Si（001）衬底上生长了Ge，并且在Ge中获得了高n掺杂水平。 GaP固体源产生的是P2分子，而不是P4分子，与从PH3气体前体分子进行的传统掺杂方法相比，其粘附系数比P4高。 还研究了光学性质对Ge膜厚度的依赖性。 通过SIMS分布图分析已经观察到磷掺杂剂的向外扩散现象。 通过霍尔效应测量可以确认，活化磷的浓度最高可达到2×1