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研究了缓冲方案对气体源分子束外延生长在GaAs衬底上的具有较高晶格失配(5.9%)的In0.83Ga0.17As光电探测器结构的应变弛豫和结构特性的影响。与固定组成的In0.83Al0.17As缓冲液
等离子体辅助分子束外延在MgO(111)衬底上外延生长CuO薄膜方法。 反射高能电子衍射监测和X射线衍射分析表明是单晶CuO(002)薄膜。 如果没有任何可检测到的铁磁掺杂剂或第二相,则CuO薄膜在5
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The good quality of 200 pairs of highly strained In0.24GaAs/GaAs multi-quantum-well (MQW) structure
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