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CFZ单晶的生产及特点
准单晶（MonoLike）是基于多晶铸锭的工艺，在长晶时通过部分使用单晶籽晶，获得外观 和电性能均类似单晶的多晶硅片。这种通
直拉硅单晶专利
对生铁中硅的含量测定方法进行改进,选用稀硫酸和稀硝酸混合酸溶解试样,采用硅钼蓝光度法测定,有良好的灵敏度、准确度和稳定性。
HWCVD工艺参数对a-Si:H薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究
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教新的缺陷分析技术，可以分析产生问题的时机及相关的活动，通过分析可以进行缺陷预防活动
2mm无位错FZ单晶的热场分析
GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛, 但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能。为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,
LPCVD法在制绒单晶硅片衬底上制备ZnO:B透明导电膜及其性能的研究
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