含喹啉单元新型聚酰亚胺的合成及其电致变色性能研究,蔡万安,肖田地,4,4'-二氨基-4''-(喹啉-8-氧基)三苯胺(DAQTPA)与均苯四甲酸二酐(PMDA)缩聚成电致变色芳香族聚酰亚胺(PI-a)
采用一步合成法,以4种不同相对分子质量(即侧链长度不同)烯丙基聚乙二醇(APEG)、甲基丙烯酸(MAA)为单体,在引发剂过硫酸钾(K2S2O8)作用下直接聚合得到一系列烯丙基聚乙二醇聚醚聚羧酸盐分散剂
燃烧法制备MgGa2O4及MgGa2O4:Co2+纳米晶的研究,杜吉勇,吕海亮,采用低温燃烧法在500°C成功制备了MgGa2O4及MgGa2O4:Co2+纳米晶。以推进剂化学为理论依据,对原料的配比
BiVO4光催化剂的合成及其可见光性能,王全华,刘成伦,采用共沉淀和水热法分别制备了BiVO4光催化剂。用XRD, SEM, FT-IR, UV-vis DRS表征BiVO4的结构和性质,并以降解10
采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体, 利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明, 随着Ge离子掺杂浓度增加, Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.6
Cr掺杂对NaCo2O4热电材料性能的影响,张大勇,厉英,本论文以NaCo2O4热电材料的Co位掺杂试样为研究对象,采用热压烧结制备出掺杂Cr的NaCo2O4热电材料,并在室温下分析了掺杂元素对其热电
热压合成Ta2AlC陶瓷的制备与性能研究,朱文彬,宋京红,以Ta粉、TaC粉、Al粉为原料,采用热压工艺合成Ta2AlC块体材料。通过对不同温度下合成试样的XRD分析,探讨了Ta2AlC合成可能存在的
Co3O4空心微球的制备及其磁性研究,胡国鑫,贾巍,本文以碳小球为模板,经乙酸钴溶液充分浸渍后,在空气中高温煅烧得到目标产物。采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)�
电化学离子交换已用于调整过渡金属氧化物(Co3O4)电极的组成,使其具有增强的容量,同时保持其晶体结构和形态。 具体而言,将Ni离子掺入被纳米针夹在中间的Co3O4纳米片上,以形成Co3O4 / Ni
Cu2+印迹聚合物的合成及其对铜离子的选择吸附性能研究,段俊新,李曦,本文通过离子印迹技术在均相中制备了一种以Cu2+为模板,聚乙烯亚胺为基本骨架,1,2-二溴乙烷为交联物的Cu2+印迹高聚物(Cu2