磁通门传感器及其模拟处理电路的研究

1引言 由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于: Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;IC为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。 对于一个给定的霍尔器件,Vh将完全取决于

无接触的位移传感器,是对基于电位技术的位移传感器的革命性改进,相比于过去复杂的应用,采用磁致伸缩技术的位移传感器,无论在界面还是性能上,都有很大提升。您知道磁致伸缩技术的位移传感器的运用技术吗?首先要

传统的温度传感器只能提供模拟输出,如:电热调节器、RTDs、热电偶以及后来出现的硅温度传感器。而在大多数应用中,这些模拟输出的温度传感器的输出端需要配置一个比较器、ADC或放大器,以产生有效的信号输出

多孔薄膜铁芯对微型磁通门功耗的影响研究，吕辉，刘诗斌，多孔结构的薄膜铁芯能够使微型磁通门的激励电流降低，减小功耗。本文采用有限元分析方法，建立了相关模型，仿真分析多孔薄膜铁芯

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用java代码后台写的模拟传感器实时采集数据的代码,存储到数据库

研究DS18b20温度传感器的测温原理,用Proteus实现仿真。有温度的显示,并把温度装换成频率输出。

力矩传感器的研究，邱江虹，宋荆洲，本文针对实验中心有关外骨骼摇操作主手的研究提出一款连轴式力矩传感器。根据外骨骼关节接口、传感器弹性体的设计要求和功能需求