我们提出了对ZZ产生的次领先的电弱校正的最新技术计算，包括Z玻色子的轻子衰变成μ+μ− e + e −或μ+μ−μ+ μ-最终状态。 我们使用完整的先导和次先导矩阵元素进行四轻子的产生，包括虚拟光子的贡献和Z玻色子的所有脱壳效应，其中有限Z玻色子宽度使用 复数方案。 矩阵元素被实现到蒙特卡洛程序中，从而可以评估任意微分分布。 我们介绍了在13 TeV处LHC的积分横截面和差分横截面，既适用于仅应用轻子识别切割的包容性设置，又适用于四轻子衰变通道中希格斯玻色子分析所激发的设置。 电弱校正分为光子贡献和纯弱贡献。 前者显示出在运动学阈值和共振附近的著名的明显尾巴； 后者通常处于〜-5％的水平，并