我们介绍了在薄膜LiNbO3衬底上的As2S3光栅耦合器的设计和实验结果。 设计了基本的光栅耦合器结构，与单模光纤的耦合效率为53％。 假设采用聚合物键合工艺，则模拟耦合效率最高可达78.8％。 制作了基本结构，在1540 nm处测得的耦合效率至少为23.4％。 某些损耗可能归因于非光栅源，例如波导锥度和测试光纤尾部。 然后使用光栅耦合器测量光栅腔。 腔波导传播损耗为2.0 dB / cm。 对于绝缘体上的500 nm薄膜LiNbO3上的400 nm厚的As2S3，当As2S3波导宽度为400 nm时，LiNbO3晶体中的限制因子为82.3％，这表明As2S3薄膜LiNbO3是薄膜的极佳候选者