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本文主要讲了一下PCB布局时去耦电容如何摆放和安装,下面一起来学习一下
在设计Xilinx FPGA器件去耦网络时,首先需要用ISE 1O的设计工具规划器件的每个输入/输出块(Bank)的SSO(Simultaneously Switching Output,同步转换输出
我们展示了如何通过所谓的“最小几何变形-解耦”的最一般的可能扩展来解耦两个球对称和静态重力源。 作为测试,我们将爱因斯坦-麦克斯韦系统解耦并重现Reissner-Nordstrom解。 我们展示了这种
以超前扭曲精度,从虚拟光子到η或η'的跃迁的形状因数可以扩展为变量ω的幂级数,与两个光子虚度的差异有关。 该级数具有显着的特征,即只有介子分布幅度l≤m的Gegenbauer系数才影响〜ωm。 因此,
我们讨论了晶格QCD中B-,Bs-介子的半轻子衰变的形状因子的计算。 特别考虑静态Bs形状因子的示例,我们证明了在非扰动重新归一化之后,可以放心地采用连续极限。 产生的精度对于提取Vub很有用。 目前
我们计算了在大N c极限内对大量夸克-反夸克-光子形状因子F 1和F 2的三环QCD校正。 分析结果以Goncharov多对数表示。 这样可以进行简单的数值评估。 我们还推导了三个运动学区域的级数展开
去耦电容真的有必要吗?具体是怎么工作的?本文将一一介绍。
在设计PCB时,多数有经验的工程师都会说,PCB走线不要走直角,走线一定要短,电容一定要就近摆放等等。可为什么去耦电容就近摆放呢?
尽管高速ADC给电源带来的总负载是稳定的,但需要电流以ADC采样速率和此频率的谐波快速跳变。
在电容器中,介质材料决定了自谐振频率的零点值。所有介质材料都是温度敏感的。电容器的电容值将随环境温度的变化而改变。在特定温度下,电容值大量改变可能导致运行性能的降低,或作为旁路和去耦电容作用时,失去部
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