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半导体材料通过掺杂实现n型和p型载流子导电在半导体器件领域具有重要意义,理论上可通过计算电荷转移能级和缺陷形成能来探索半导体材料的n型和p型掺杂效率。基于第一性原理,结合二维带电缺陷计算方法,类石墨烯
使用广义梯度近似(GGA)和Hubbard U方法进行第一性原理计算,以研究Co掺杂SnO2纳米片(NSs)的结构,电子和磁性。 我们发现两个Co原子具有聚集趋势,并且它们之间的磁性相互作用表现出铁磁
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对纯CaF2晶体和Mg、Sr掺杂CaF2体系的晶体结构、电学以及光学性质进行了详细的对比研究,结果表明:与纯CaF2晶体相比,掺杂体系的带隙变窄且形成新的
不同侧基苯衍生物电子特性的第一性原理研究
有序钙钛矿钛酸铜钙掺杂问题的第一性原理研究,徐利春,王如志,利用第一性原理方法研究了钛酸铜钙的掺杂选位问题。通过假设La掺杂可能替代的四个位置,计算掺杂后点阵膨胀、形成焓并分析了电子�
蓝宝石(0001)衬底上Al掺杂ZnO生长极性的第一性原理研究,杨平,高乾,本文基于第一原理的方法,对于在蓝宝石(0001)衬底上生长的掺Al的ZnO的极性反转机制进行了研究。结果表明铝掺杂剂倾向于浮
采用基于密度泛函理论的第一性原理, 计算了未掺杂, Cu、I单掺杂以及Cu-I共同掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质。结果表明, Cu、I单独掺杂TiO2都使得吸收带边红移, I单掺时I5p跟O
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对不同Co含量的β-FeSi2的能带结构,态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算结果表明,Co掺杂使得β-FeSi2的晶格
基于密度泛函理论,利用第一性原理计算Mg-N阴阳离子双受主共掺杂SnO2的电子结构、电荷密度分布和缺陷形成能。Mg、N分别取代SnO2晶体中的Sn和O ,掺杂浓度分别为4.17at%、2.08at%,
Ti掺杂单层δ-MnO2的磁性和电子性质的第一性原理研究，张余，商波，采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了Ti掺杂对单层δ-MnO2电子性质、磁性的影响。计算结果表明：本征单层δ-MnO2属于
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