正背栅SOI-MOSFET二维阈值电压解析模型,邵隽,张国和,通过建立沟道区域和埋氧区域的二维泊松方程,并考虑衬底区域的掺杂和背栅偏压对器件阈值电压的影响,得到了一种正背栅全耗尽SOI-MO