ScN、YN微晶的制备与表征,崔航,张健,利用直流电弧等离子体方法制备出ScN、YN微晶。结构表征以及EDS成分分析表明所制备的ScN晶体为满足化学计量比的单晶,然而YN晶体为非�
通过射频磁控溅射制备的具有TiO“ 2薄晶种层的ITO膜的结构,电学和光学性质
利用CO2激光预退火提高硅纳米晶的光致发光强度,陈永彬,任勇,通常在惰性气氛中对SiOx(x<2)薄膜高温(如1100C)退火,可制备镶嵌在SiO2中的硅纳米晶(简称SNSO)。SNS
Preparation of nanowires
以纳米氧化锡(SnO
催化新材料主要包括纳米材料、无机有机复合材料、离子液体、金属氮化物、碳化物等,是当前研究的热点。综述了这几种材料的性质、制备技术、研究进展等。
S/N共掺TiO2纳米管阵列结构与性质研究,柯成,袁宝,采用阳极氧化法制备了高度有序的TiO2纳米管阵列薄膜,制得的TiO2纳米管阵列在紫外线照射条件下经硫脲溶液浸泡,进而于氨气气氛中进�
在100 °C, 150 °C和270 °C下固化得到了四种聚酰亚胺薄膜, 薄膜的固化温度对其性能有重要影响。 采用波长把5 nm的偏振紫外脉冲激光,在四种聚酰亚胺薄膜表面成功制备了纳米微条纹结构,
ZnO和ZnSe都是重要的宽带隙II-VI族半导体材料。一维ZnO和ZnSe纳米材料是目前半导体一维纳米材料研究领域的热点,又由于二者之间的能带差,如果构成异质结构将会使材料的电子传输特性发生改变,因
ZnO纳米结构薄膜的水热法制备,柯健,戴英,低温条件下,采用水热法,在预先镀有ZnO晶粒层的玻璃基板上制备出ZnO纳米棒阵列,在Al基板上制备出ZnO片状纳米结构薄膜。并通过X射线