n-GaAs薄膜中微波的放大已被广泛研究。 另一方面，在微波，毫米和太赫兹范围内使用非线性参数效应具有很大的潜力。 本文研究了有源n-GaAs半导体及其基膜中的共振非线性现象。 这种现象是空间电荷波的非线性相互作用，包括倍频和混频，以及两个太赫兹电磁波和一个空间电荷波之间的三波相互作用。 这种三波相互作用导致太赫兹波的超外差放大。 GaAs中的电子速度是外部电场的非线性函数。 如果偏置电场大于E0>Ecrit≈3KV/ cm，则可以获得负的差分迁移率（NDM和空间电荷波）。 空间电荷波的电子相速度等于v0 = v（E0），E0 = V0 / Lz，其中V0是电压，在GaAs薄膜中产生偏置电场E