在这项研究中，使用蒙特卡罗模拟设计了在倍增区域中具有双异质结AlN / AlxGa1-xN / GaN的独立吸收，分级，电荷和倍增（SAGCM）雪崩光电二极管（APD），以减少多余的噪声。 倍增区域被分为三个不同的区域，并试图增强第一和第二冲击电离事件在异质结附近的定位。 对于高增益，所提出的结构的多余噪声比制造的标准AlGaN-APD的噪声小64％。