论文研究 Mg2Si电子结构及光学性质的研究 .pdf

Ca2Si电子结构和光学性质的研究，杨创华，谢泉，采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质，其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电�

Mg2Si基热电材料研究现状及进展，李柏松，陈超，介绍了热电材料的基本原理与应用情况，总结了现阶段提高Mg2Si基热电材料热电性能的途径：包括对Mg2Si材料进行多种元素的掺杂；制备�

场激活合成Mg2Si热电性能研究，李柏松，陈超，用Mg粉和Si粉通过场激活加压辅助法（Field-activated and Pressure-assisted Synthesis，FAPASA），在

基于第一性原理的密度泛函理论,用广义梯度近似方法(GGA)计算了Mg掺杂纤锌矿GaN的电子结构和光学性质,分析了能带结构与电子态密度以及掺杂前后GaN体系的介电函数与能带结构之间的关系。计算结果表明掺

利用稀土元素Pr对过共晶Mg-4Si合金中的初生Mg2Si相进行变质处理,并讨论其变质机理.结果表明:Pr对Mg-4Si中的初生Mg2Si相可以起到有效的变质作用,在Pr质量分数为3%时,变质效果最佳

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法,系统研究了不同应力作用下GaN 的电子结构和光学性质,对比分析了外压调制对GaN 的能带结构、态密度和光学性质变化的影响。计算结果表明:随着外应力的逐

立方烷的电子结构和光学性质的研究,董玉静, 程新路,为了全面了解了立方烷的性质,本文利用CASTEP程序包基于密度泛函理论的交换关联函数(GGA)方法对立方烷的电子结构和光学性质进行了

在室温下，在两种不同的基板温度（Ts）下，通过RF-磁控溅射技术在玻璃基板上制备了Au/SiO2纳米复合膜。对于在TS=25℃下沉积的样品，未观察到明显的表面等离子体共振峰。退火后，Au/SiO2薄膜

钙取代对Mg2Si基热电材料性能的影响，高洪利，刘鑫鑫，采用固相反应和真空热压法，以CaSi2、Mg、Si为原料制备Ca取代的Mg2Si基热电材料，研究了钙取代对Mg2Si热电性能的影响。XRD结果表

采用基于密度泛函理论的第一性原理对CeO2进行掺杂改性研究。在研究过程中，计算了未掺杂及不同掺杂情况下CeO2的几何晶体结构、能带和态密度、光学吸收谱。结果显示，Fe和N元素的单掺杂以及共掺杂后，晶胞