SL05T1G的技术参数

产品型号:HN1B01FDW1T1G类型:NPN./PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益

产品型号:NCP303LSN34T1G工作电压(V):0.8~10复位门限(V):3.400门限滞后(mV):170低电平复位:√(漏极开路)高电平复位:-工作电流典型值(uA):0.25~0.50封

产品型号:MJD47T4G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):250集电极最大电流IC(Max)(A):1直流电流增益hFE最小值(dB):30直流电流增益hFE最大值(dB):15

产品型号:NZQA5V6XV5T1G雪崩电压VBRmin(V):5.320雪崩电压VBRnom(V):5.600雪崩电压VBRmax(V):5.880IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1峰值

产品型号:NTMFS4708NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):19最大漏极电流Id(on)(A):19通道极性:N封装/温度(°C):SO-8FL/-

产品型号:UC3842BD1G工作电压(V):7.6~30输出电压/电流(V/A):13.5/1.0振荡频率(Hz):500K(Max.)输出方式:电流模式封装/温度(°C):SOIC8/0~70描述

产品型号:BAS16HT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):1正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时间trr

产品型号:MC74VHC1G08DFT1G封装/温度(°C):SC70-5/-55~125描述:单2输入与门价格/1片(套):暂无

产品型号:X4045S8-2.7T1位密度:4K结构:×8接口:I2C低电平复位:-高电平复位:√工作电压 (V):2.7~5.5复位门限Vtrip(V):2.55~2.7WDT周期(S):Off/.

产品型号:NSDEMN11XV6T1最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):100mA最大二极管电容CT(pF