煅烧温度对Ca0.798 Zn0.2 TiO3:0.001 Pr3+0.001 Na+红色长余辉发光薄膜性能的影响

在长周期光纤光栅外镀折射率随环境变化而改变的敏感薄膜,其谐振波长随薄膜折射率的变化而改变。对无吸收薄膜,光栅耦合强度为π/2时,其传输谱中谐振波长对应的损耗峰峰值为零。镀复折射率薄膜的长周期光纤光栅,

纳米晶碳化硅(nc-SiC)薄膜已经通过螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术在硅(1 0 0)衬底上生长,并且通过改变衬底温度(Ts)将薄膜的光致发光从黄色调至蓝色。 )。 所得的nc-SiC薄膜显示出

主机域名VD影子系统v0.001vd

研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响, 结果发现:AZO薄膜在600 °C退火后, X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°, 晶

通过修正的Landau-Devonshire热力学模型构建了PbZr0.4Ti0.6O3/SrTiO3异质结的电滞回线方程, 得到了剩余极化强度Pr、矫顽电场Ec和有效储能密度Wrec的关于PbZr0

采用固定床反应器,研究了Cu-Zn-Al2O3催化剂上环己醇常压气相脱氢制备环己酮的反应性能,详细考察了还原条件对催化剂结构及环己醇脱氢反应性能的影响,采用XRD、H2-TPR、CO2-TPD、NH3

退火温度对溶胶-凝胶法制备ZnO:Al薄膜的影响

本文基于脉冲激光沉积(PLD)方法, 利用光谱物理GCR-170型脉冲激光器Nd∶YAG的三次谐波, 实验上完成了在Al2O3(0001)基片上生长了ZnO薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、光致发光(

在不同的基底温度和离子源能量下, 采用电子束蒸发方法在GaAs基底上分别制备了SiO2、TiO2和Al2O3光学薄膜。测量了所制备薄膜的表面应力, 并对不同离子源能量下薄膜的折射率进行了测试。结果表明

离子液体静电场效应对La0.67Ca0.33MnO3薄膜输运性能影响的研究，金锋，吴文彬，采用脉冲激光沉积技术在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(001)单晶基片上制备了高质量的La