我们介绍了在排它衰减模式B-→π+π-ℓ-ν¯$$ $$ {B} ^ {-} \到{\ pi} ^ {+} { \ pi} ^ {-} {\ ell} ^ {-} {\ overline {\ nu}} _ {\ ell} $$限制了大介子能量和大倾角不变质量。 可以用一个通用的B→π形状因数以及一个短距离内核T I与带正电的介子的相应光锥分布幅度（LCDA）的卷积来描述一种贡献。 第二项贡献是领先，完全分解了一个短距离内核T II，并用前向扭曲LCDA旋绕了介子和B介子。 在固定阶扰动理论中，我们计算了对短距离内核T I和T II的主要贡献，并讨论了由此产生的B→ππ分波形状因子之间的近似