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针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放
关于BJT的噪声模型分析、输入匹配、以及主抗匹配的知识
低温共烧陶瓷(LTCC,Low-TemperatureCo-firedCeramic)是一种应用在多芯片组件(MCM)中具有高集成度的多层布线封装技术的共烧陶瓷。由于LTCC基板可以进行将无源器件如电
认知无线电架构下的低噪声放大器设计，王雷，，宽带低噪声放大器是认知无线电接收机机硬件前端的重要组成部分。本文根据宽带低噪声放大器的设计原理，采用TSMC0.18umCMOS工艺设计��
基于ADS仿真的UHF频段RFID低噪声放大器设计，王磊，，选用E-PHEMT晶体管ATF541M4，设计了一个UHF频段RFID低噪声放大器。应用微波仿真软件ADS对匹配电路进行了优化设计，通过S参
Research on SiGe HBT Ultra-wideband Low Noise Amplifier
摘 要:文章归纳了射频前端低噪声放大器电路设计中的若干问题,逐一探讨了解决问题的方法。基于有关处理,结合CDMA2000基站中射频低噪声放大器电路的设计要求,完成了实际电路的设计。通过仿真,进一步分析
采用噪声较小,增益较高且工作电流较低的放大器芯片WHM0035,利用MMIC芯片,研制出一款具有增益调节功能的宽带低噪声放大器,提高了整体系统的动态范围,同时具有耦合检波的功能。在0.03~3 GHz
本文讨论了一种增强型E-PHEMT管的宽带低噪声放大器设计,介绍了设计的具体流程和方法,并充分利用ADS仿真软件的各项功能对低噪声放大器进行优化设计,省去了复杂的理论分析计算,大大简化了设计过程,提高
折叠共源共栅低噪声放大器设计
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