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提出了一种新型的单相饱和式可控电抗器拓扑,将可控电抗器的控制绕组和辅助消谐绕组有机地统一起来。新的拓扑结构将控制绕组通过一个半桥控制电路和一个电压型的逆变器连接到和主绕组紧密耦合的辅助消谐绕组。消谐绕
建模仿真方法和过渡时间计算是磁饱和式可控电抗器研究中值得关注的2个重要问题。根据磁饱和式可控电抗器的饱和特性,通过对小斜率磁化特性的分析,找到了电抗器额定容量、额定电压、自耦比和绕组电阻之间的定量关系
多级磁阀结构的提出在一定程度上有效减小了磁控电抗器输出电流的谐波含量,但也引入了磁阀的级数和磁阀尺寸的优化、电抗器容量变化及结构设计制造复杂等一系列问题。一方面,从磁控电抗器的磁阀结构出发,详细建立了
陈柏超老师的书，99年出版，介绍了饱和电抗器的发展历史和电网过电压及电压调节问题，对磁阀式和裂心式可控电抗器进行了理论分析，并给出应用实例。
磁饱和可控电抗器式无功补偿技术是以磁饱和可控电抗器为基础的,本文通过介绍其基本结构和工作原理,阐述了这种无功补偿技术所具有的可快速、准确、平滑、合理地调节系统的无功功率的特点。并通过在鹤煤公司三矿变电
在分析计算磁阀式可控电抗器(MCR)的特性时,必须考虑交、直流共同激励和铁芯磁路各部分磁化状态不同的特点。提出了基于Jiles-Atherton逆模型的MCR等效磁化特性模型,该模型考虑了磁滞、直流偏
通过对比分析现有阵列式结构、多导磁材料结构、分裂式结构和多基本独立单元结构的磁集成变压器式可控电抗器(CRT)的结构特点,提出了多控制绕组基本单元磁集成CRT的结构设计原则。根据该设计原则,提出了一种
简要介绍了磁阀式可控电抗器(MCR)的结构和工作原理,通过对磁饱和技术进行分析,指出了影响磁阀式可控电抗器响应时间的直接因素,并据此提出了提高响应速度的方法以及这些方法的优劣性和可行性。
绍了一种与进口整流变压器配套的国产整流装置及其控制系统的特点,以及与国内同类装置的区别及运行状况
为了改善电网无功功率不平衡导致的电网电压巨大波动、功率因数低落等问题,设计了一种基于磁阀式可控电抗器的无功控制系统。该系统采用多变量控制策略,通过控制电抗器的输出感性无功,实现功率因数控制、母线无功功
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