改变条纹宽度及NH3/SiH4流量比调节氮化硅覆盖的体锗及绝缘层上锗条纹中应变,林光杨,蓝小凌,本文通过改变条纹宽度及氮化硅生长过程中的NH3/SiH4流量比改变了氮化硅覆盖的体锗及绝缘层上锗条纹中的应变。研究发现,对于体锗条�