溶解乙炔气中杂质的清除

浅析杂质扩散原理

我们发现了一个（半）自对偶杂质模型族，这样对于在拓扑无关紧要的情况下和对于扭结（或抗扭结）配置，对于杂质的任何空间分布，自对偶（BPS）区段都是可精确求解的。 这使我们能够以解析形式导出相应一维模空间

依据杂物基本物理性质,将杂质分为磁性物类、棉纱及纤维类、木材类、橡胶类;针对不同种类的外在杂质,论述了杂质脱除的基本方法及手段,同时强调煤炭质量管理的重要性。

数值模拟方法能够较好地描述煤层气的储存特征及流动机理,是目前研究煤层气产能较为有效的方法,但该方法应用费时、复杂,实用性较差。以沁水煤层气田樊庄区块为例,基于煤层气数值模拟方法,建立樊庄无因次产气曲线

为了得到咔唑溶液结晶的合适溶剂,采用液固平衡法测定了咔唑在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲苯(xylene)、四氯乙烯(TCE)、二乙二醇二甲醚(DGDE)等4种溶剂中的溶解度,并分别采用修正的A

描述了静压釜溶解机理及影响因素。详细阐述了静态法溶解泡花碱5个过程的机理,提出水合、一次溶解、水解、二次溶解、电离是相辅相成不可分割的复杂过程。探讨了模数、温度与压力、水料比、固体料粒度几个主要因素对

在接近SiO2/Si界面处硅中的杂质浓度由方程(3.48)可以求出: 图3.7 改进硅-硅直接键合的杂质扩散模型 由于在1100°C的键合温度下,杂质As在SiO2中的扩散系数为D2=3.58×10-

实验活动8-粗盐中难溶性杂质的去除_精美学习课件ppt

为了研究不同杂质颗粒物对划痕的影响及其大小与划痕形貌之间的关系,在钕玻璃抛光过程中分别引入三种尺寸的金刚砂、氧化铈团聚物和用过的抛光粉作为杂质颗粒物,对抛光过程中产生的划痕形貌进行统计分析。结果表明,

为了说明杂质在两种材料的界面的扩散的过程,首先研究两个半无限的SiO2和Si在界面处的扩散,如图图3.3所示。假设杂质在SiO2中均匀分布,初始浓度为N0,在Si中的浓度为0,可以得出杂质在二氧化硅中