这是一个应用说明，专用于英飞凌的2500瓦图腾杆全桥功率因数校正（PFC）演示板，包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器，以及1EDI高压MOSFET驱动程序。   这个演示板展示了一个高效的PFC阶段，它利用Infineon的CoolGantm技术的优势，将系统效率提高到99%以上，用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。   增强模式（E模式）氮化镓（GaN）半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷，GaN是一种宽带隙（WBG）材料。因此，这项技术使功率级的新拓扑成为可能，而目前的高压超