基于2-D器件仿真和混合模式瞬态仿真，采用标准CMOS工艺的普通二极管串以及采用三阱CMOS工艺的二极管串的DC和瞬态放电特性可以用作基本的VDD-比较了用于CMOS输入ESD保护的VSS钳位器件。 比较了瞬态放电特性，包括输入缓冲器中晶体管的栅极氧化物两端产生的峰值电压，ESD保护器件内部的晶格加热以及二极管串钳位的峰值处的放电电流分量的比率。 还比较了每个输入焊盘结构增加的直流待机电流水平，这是确定设备有用性的关键参数。 我们证明，相比之下，二极管管串器件可以凭借与pnpn晶闸管相关的主要导通机制成功地用作ESD保护的VDD-VSS钳位器件。 对设计参数进行了优化，包括串中每个二极管的阳极