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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
场效应管是什么 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET）和金属 -氧化物半导体场效应
场效应管是该装置的核心,在介绍该部分工作原理之前,先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。
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本文讲述场效应管的工作原理、伏安特性及P沟道EMOS场效应管。
本电路利用微动开关和场效应管制作一个电源开关电路,未出开关做电源开关更加高档,从此告别自锁开关!
场效应管的型号_常用场效应管
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,
场效应管是较新型的半导体材料,利用电场效应来控制晶体管的电流,因而得名。它的外型也是一个三极管,因此又称场效应三极管。
是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分,它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。 1
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